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08-08

原磊科普|ALD在钙钛矿电池中的应用

原磊纳米技术团队多年的工艺开发经验,公司从创业之初,就深入于钙钛矿领域相关材料的研究,目前客户端的ALD镀膜工艺取得了非常好的阶段性成果进展。
03-01

原磊科普|ALD在高深宽比器件制造上不可替代的应用

在集成电路领域中,深宽比被定义为刻蚀深度与刻蚀图形CD(Criticlal Dimension)的比值。CD是IC制造中的一个重要指标,通常与刻蚀的特征图形的尺寸相关联,包括有浅槽隔离的间隙、晶体管的沟道长度、金属互联线的宽度等。随着高密度集成电路特征尺寸的不断减小,对于高深宽比的间隙进行均匀、无空洞,填充淀积工艺显得至关重要。    以3D NAND为例, 其复杂结构需要高的深宽比镀膜工艺,例如叠层沉积、高深宽比通道/通孔沉积和台阶沉积等等。这类非平面结构对沉积工艺的要求很高,常见的物理气相沉积(PVD)/化学气相沉积(CVD)的成核生长机制已经难以满足。 ALD与其他制膜技术对比(图片来源网络)   不同于传统的沉积方式,原子层沉积(ALD)的反应机制是逐层饱和反应,这种表面反应具有自限性,通过累积重复这种自限性可以制备所需精确厚度的膜层,并且具有良好的台阶覆盖率及厚度均匀性,连续生长可以获得致密性高的纳米薄膜。     使用TiCl4和H2O制备的TiO2(图片来源网络)   基于表面饱和化学性吸附及自我限制的反应机制,原子层沉积(ALD)拥有下列优点:   通过对生长循环数的控制,可以精确控制目标膜厚     通过对前驱体流量的稳定性/均匀性控制,可获得较高致密性的薄膜     对于具有高深宽比结构的器件/材料,ALD具备良好的侧壁覆盖能力和阶梯覆盖能力,沉积保形性较好     结合原磊技术团队成员多年的经验积累,并经过不断的优化和实践,原磊将ALD在深宽比器件制造的理论优势,用自己的技术和产品充分展现出来。原磊第二代研发型ALD设备Elegant-Y/A系类产品,在不改变腔体的前提下满足O3/Plasma/Thermal三种工艺的任意切换。针对高深宽比结构的材料/器件,设计了独有的FV-ALD工艺,给反应前驱体提供一个更加稳定的腔内气流环境,针对高深宽比的结构,有效扩大了阶梯覆盖能力以及样品表面膜层的均匀性,可以实现深宽比1000:1的沟道内Al2O3、HfO2和TiN的均匀致密沉积。 ELEGANT II-Y300   图1展示了Elegant-Y300系列ALD产品在Floating型沟道结构内沉积25nm HfO2薄膜的SEM图片。图2中展示了放大倍数的HfO2薄膜,可清晰地看到其致密均匀的沉积效果。.   Figure 1:高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜的SEM结果   Figure 2:高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜厚度测试结果   经过前期大量的工艺验证和研发,我司也摸索出一系列ALD制备氧化物、氮化物和金属的成熟工艺,包括:   氧化物 Al2O3、TiO2、SiO2、HfO2、Ta2O5、ZrO2、ZnO、SnO2、La2O3 金属 Fe、Ag、Co、Ni、Cu、Ru、Pt 氮化物\ 多元材料 TiN、TiC、GaN、AlN、HfON、LaAlO3、MnN、TaN、WN、Si3N4等   我司目前主要产品是研发和量产型原子层沉积(ALD)设备,其中GRACE MX系列和ELEGANT II-A系列机型均可成熟量产。   GRACE MX系列 原磊自主研发的第一代多层平板式原子层薄膜沉积(ALD)系统。支持全方位的工艺开发,且最大可容纳样品尺寸及层数可根据客户需求量身定制。 ELEGANT II-A系列 成熟量产型机台,可使用标准或自定义的 Cassette一次性装载25片6/8寸英寸晶圆。在化合物半导体领域,我司利用ALD技术开发出独特的处理工艺-即ISSET技术,能够大幅提升功率器件的电学性能。  
08-26

台积电预估9月量产3纳米,晶圆代工厂要如何应对挑战?

三星电子7月底抢先全球厂商宣布量产3纳米芯片,台积电虽然慢了一步,但仍符合原先预期,预估在9月开始量产3纳米,此事让晶圆代工双雄的竞争更加白热化。
09-03

中国半导体三路出击

根据国信证券的调研报告显示,在2020 年前8个月中国有近万家(9335 家)企业转投芯片行业,同比增长1.2倍。A股半导体上市公司目前62家,新转型做半导体的企业数量是存量的150倍。
07-31

解读半导体设备市场趋势

新冠肺炎持续在全球范围内蔓延,在笔者写下这篇文章(2020年7月20日)的时候,全球已经有1,430万人感染新冠肺炎,死亡人数超60万。目前来看,新冠肺炎蔓延的趋势有增无减,因此全球各国都继续“紧锁大门”!结果导致制造行业需求下滑,零部件、材料的供应链中断,企业产生巨额的赤字,越来越多的企业无法做出下一财政年度的业绩预想。
07-27

半导体设备支出连2年增长,2021年可望创下新高

国际半导体产业协会(SEMI)于年度美国国际半导体展(SEMICON West)公布年中整体OEM半导体设备预测报告(Mid-Year Total Semiconductor Equipment Forecast–OEM Perspective),预估2020年全球原始设备制造商(OEM)之半导体制造设备销售总额将达到632亿美元,较2019年的596亿美元成长6%,2021年营收更将呈现两位数强
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