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活动预告| 徐州半导体薄膜沉积技术研讨会

活动预告| 徐州半导体薄膜沉积技术研讨会

  • 分类:近期活动
  • 作者:
  • 来源:
  • 发布时间:2022-01-03
  • 访问量:0

【概要描述】为与业内同行合作交流并加快我国半导体技术发展,原磊纳米将携手徐州经开区于1月14日在徐州东区铂骊酒店举办徐州半导体薄膜沉积技术研讨会。

本次会议将向各位专家和同仁展示目前国产原子层沉积设备的最高技术水准及其在先进制程领域的应用;与此同时,原磊纳米自主研发的纯国产外延设备也即将面世。

 

产学结合 发展中国半导体产业

技术创新需要研发人员披荆斩棘,迎难直上,才可打破我国半导体受制于人的局面。此次会议邀请到我国在半导体薄膜技术上深耕多年的技术专家解读原子层沉积技术与集成电路的产业结合及新材料研发在半导体领域未来面临的机遇和挑战。同时,半导体行业龙头企业代表也将参与此会,与行业内同行进行深度交流。

面向未来 迈向资本赋能时代

自国家集成电路产业投资基金成立以来,我国投资界在半导体设备领域初露锋芒,成为赋能该领域的主要支撑。此次会议邀请到半导体行业内专业投资机构参会,与现场行业内技术人员交流。



 

公司简介

原磊纳米创立于2018年,总部位于南京,同时在徐州、新加坡均设有子公司。原磊秉承多年的工艺及半导体设备制造经验,自主设计国产高端半导体薄膜沉积设备,致力于实现我国半导体设备不受制于人的愿景。

活动预告| 徐州半导体薄膜沉积技术研讨会

【概要描述】为与业内同行合作交流并加快我国半导体技术发展,原磊纳米将携手徐州经开区于1月14日在徐州东区铂骊酒店举办徐州半导体薄膜沉积技术研讨会。

本次会议将向各位专家和同仁展示目前国产原子层沉积设备的最高技术水准及其在先进制程领域的应用;与此同时,原磊纳米自主研发的纯国产外延设备也即将面世。

 

产学结合 发展中国半导体产业

技术创新需要研发人员披荆斩棘,迎难直上,才可打破我国半导体受制于人的局面。此次会议邀请到我国在半导体薄膜技术上深耕多年的技术专家解读原子层沉积技术与集成电路的产业结合及新材料研发在半导体领域未来面临的机遇和挑战。同时,半导体行业龙头企业代表也将参与此会,与行业内同行进行深度交流。

面向未来 迈向资本赋能时代

自国家集成电路产业投资基金成立以来,我国投资界在半导体设备领域初露锋芒,成为赋能该领域的主要支撑。此次会议邀请到半导体行业内专业投资机构参会,与现场行业内技术人员交流。



 

公司简介

原磊纳米创立于2018年,总部位于南京,同时在徐州、新加坡均设有子公司。原磊秉承多年的工艺及半导体设备制造经验,自主设计国产高端半导体薄膜沉积设备,致力于实现我国半导体设备不受制于人的愿景。

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为与业内同行合作交流并加快我国半导体技术发展,原磊纳米将携手徐州经开区于1月14日在徐州东区铂骊酒店举办徐州半导体薄膜沉积技术研讨会。

本次会议将向各位专家和同仁展示目前国产原子层沉积设备的最高技术水准及其在先进制程领域的应用;与此同时,原磊纳米自主研发的纯国产外延设备也即将面世。

 

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技术创新需要研发人员披荆斩棘,迎难直上,才可打破我国半导体受制于人的局面。此次会议邀请到我国在半导体薄膜技术上深耕多年的技术专家解读原子层沉积技术与集成电路的产业结合及新材料研发在半导体领域未来面临的机遇和挑战。同时,半导体行业龙头企业代表也将参与此会,与行业内同行进行深度交流。

面向未来 迈向资本赋能时代

自国家集成电路产业投资基金成立以来,我国投资界在半导体设备领域初露锋芒,成为赋能该领域的主要支撑。此次会议邀请到半导体行业内专业投资机构参会,与现场行业内技术人员交流。

 

公司简介

原磊纳米创立于2018年,总部位于南京,同时在徐州、新加坡均设有子公司。原磊秉承多年的工艺及半导体设备制造经验,自主设计国产高端半导体薄膜沉积设备,致力于实现我国半导体设备不受制于人的愿景。

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原磊科普|ALD在高深宽比器件制造上不可替代的应用
在集成电路领域中,深宽比被定义为刻蚀深度与刻蚀图形CD(Criticlal Dimension)的比值。CD是IC制造中的一个重要指标,通常与刻蚀的特征图形的尺寸相关联,包括有浅槽隔离的间隙、晶体管的沟道长度、金属互联线的宽度等。随着高密度集成电路特征尺寸的不断减小,对于高深宽比的间隙进行均匀、无空洞,填充淀积工艺显得至关重要。    以3D NAND为例, 其复杂结构需要高的深宽比镀膜工艺,例如叠层沉积、高深宽比通道/通孔沉积和台阶沉积等等。这类非平面结构对沉积工艺的要求很高,常见的物理气相沉积(PVD)/化学气相沉积(CVD)的成核生长机制已经难以满足。 ALD与其他制膜技术对比(图片来源网络)   不同于传统的沉积方式,原子层沉积(ALD)的反应机制是逐层饱和反应,这种表面反应具有自限性,通过累积重复这种自限性可以制备所需精确厚度的膜层,并且具有良好的台阶覆盖率及厚度均匀性,连续生长可以获得致密性高的纳米薄膜。     使用TiCl4和H2O制备的TiO2(图片来源网络)   基于表面饱和化学性吸附及自我限制的反应机制,原子层沉积(ALD)拥有下列优点:   通过对生长循环数的控制,可以精确控制目标膜厚     通过对前驱体流量的稳定性/均匀性控制,可获得较高致密性的薄膜     对于具有高深宽比结构的器件/材料,ALD具备良好的侧壁覆盖能力和阶梯覆盖能力,沉积保形性较好     结合原磊技术团队成员多年的经验积累,并经过不断的优化和实践,原磊将ALD在深宽比器件制造的理论优势,用自己的技术和产品充分展现出来。原磊第二代研发型ALD设备Elegant-Y/A系类产品,在不改变腔体的前提下满足O3/Plasma/Thermal三种工艺的任意切换。针对高深宽比结构的材料/器件,设计了独有的FV-ALD工艺,给反应前驱体提供一个更加稳定的腔内气流环境,针对高深宽比的结构,有效扩大了阶梯覆盖能力以及样品表面膜层的均匀性,可以实现深宽比1000:1的沟道内Al2O3、HfO2和TiN的均匀致密沉积。 ELEGANT II-Y300   图1展示了Elegant-Y300系列ALD产品在Floating型沟道结构内沉积25nm HfO2薄膜的SEM图片。图2中展示了放大倍数的HfO2薄膜,可清晰地看到其致密均匀的沉积效果。.   Figure 1:高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜的SEM结果   Figure 2:高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜厚度测试结果   经过前期大量的工艺验证和研发,我司也摸索出一系列ALD制备氧化物、氮化物和金属的成熟工艺,包括:   氧化物 Al2O3、TiO2、SiO2、HfO2、Ta2O5、ZrO2、ZnO、SnO2、La2O3 金属 Fe、Ag、Co、Ni、Cu、Ru、Pt 氮化物\ 多元材料 TiN、TiC、GaN、AlN、HfON、LaAlO3、MnN、TaN、WN、Si3N4等   我司目前主要产品是研发和量产型原子层沉积(ALD)设备,其中GRACE MX系列和ELEGANT II-A系列机型均可成熟量产。   GRACE MX系列 原磊自主研发的第一代多层平板式原子层薄膜沉积(ALD)系统。支持全方位的工艺开发,且最大可容纳样品尺寸及层数可根据客户需求量身定制。 ELEGANT II-A系列 成熟量产型机台,可使用标准或自定义的 Cassette一次性装载25片6/8寸英寸晶圆。在化合物半导体领域,我司利用ALD技术开发出独特的处理工艺-即ISSET技术,能够大幅提升功率器件的电学性能。  
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