徐州半导体薄膜沉积技术研讨会圆满落幕
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- 发布时间:2022-01-17
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【概要描述】
1月14日,原磊纳米材料(徐州)有限公司(以下简称“原磊”)在徐州举办的“徐州半导体薄膜沉积技术研讨会“圆满落下帷幕。本次会议旨在推动半导体真空镀膜设备的国产化进程和加快我国半导体技术的发展。会议以半导体薄膜沉积技术为切入点,深度交流了半导体及纳米光学器件产业内薄膜沉积工艺的最新成果,并探讨了薄膜沉积技术的未来发展方向。徐州经济技术开发区领导及众多半导体薄膜沉积领域的专家和学者与会。
在研讨会开幕式上,原磊创始人兼总经理郑锦先生与业内同仁分享了原磊一路走来的创业历程,表达了对徐州经开区政府人员的感谢,并向半导体领域的业内同仁致敬。
随后,徐州经开区党工委副书记、管委会主任臧晓鹏先生在致辞时表示,徐州经开区正在紧跟国家战略布局,瞄准材料、装备、先进封测和第三代半导体等领域精准发力,致力于打造淮海经济圈的半导体产业高地。臧主任对原磊在经开区顺利落地表示祝贺,并祝愿原磊在今后的征程中开拓进取,勇攀半导体产业高峰。
接下来,求是缘半导体联盟陈荣玲理事长在会上高瞻远瞩地指出了在整体“缺芯”的产业形势下,半导体行业同仁们应如何应对,以及对原磊作为国产高端半导体薄膜沉积设备制造商的殷切期待。
在接下来的研讨会上,产学研界的专家们各自分享了他们在薄膜沉积技术应用上的最新进展。
复旦大学微电子国家重点实验室的丁士进教授讲解了原子层沉积技术在集成电路先进制程中的技术融合与应用。
南智先进光电集成技术研究院的王前进博士讲述了如何以光电集成公共技术平台建设促进光电芯片成果转化、产业集聚的策略和ALD技术在未来该领域的应用。
源展材料科技有限公司副总裁娄夏冰博士深入浅出地讲解了ALD前驱源的发展历程、当前状况和未来趋势。
华中科技大学武汉光电国家实验室的曾进炜教授讲解了原子层沉积技术在纳米光学器件方面的应用和前景。
重庆大学南京研究院副院长牟笑静教授分享了压电薄膜材料研究与产业化发展的进程,以及对与原磊开展深入合作的期待。
南昌大学光伏研究院的姚凯教授讲述了原子层沉积技术在钙钛矿/异质结叠层光伏电池制备过程中的重要作用。
产品发布
同时,研讨会上发布了原磊ANAME Elegant系列设备,是研发型ALD设备市场中唯一能为客户量身定制最大可沉积12寸晶圆的国产设备,突破性地解决了薄膜沉积领域的一些关键问题。该系列采用双腔设计,可从最大程度上保证沉积的稳定性;同时集成了原磊自主研发的传输系统,可实现一键操作,减少人工干预,降低交叉污染。该系列预留了数个升级端口,可同时实现等离子体增强和臭氧工艺,并兼容ALE的开发功能,适用于泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积及刻蚀研究。
值得关注的是,本次会议还发布了原磊首台量产型设备BAT P300 R2R。该设备兼容4/6/8/12寸晶圆,一次可沉积300片4寸晶圆。该设备搭载自动传输和冷却系统,大幅降低了单片人工成本,适用于光电显示以及泛半导体等领域的应用,是目前全球性价比最高的ALD设备。
2022年,原磊还将陆续推出适用于特殊记忆体、特殊工艺、先进封装和先进制程的团簇式ALD设备。同时,原磊还展示了首台纯国产低温选择性外延设备的设计与外观,让业内同仁看到了先进制程设备领域国产替代的希望。
企业参观
1月15日,政府人员和参会企业代表在总经理郑锦的陪同下参观了原磊徐州公司,对原磊的装配、研发和测试中心的设计和硬件条件给予了极高的评价,表达了对原磊未来发展的极大期许和信心。
会议于下午5点顺利闭幕。
至此,本次会议全部结束。感谢本次与会的各界朋友,让我们相聚在下一届研讨会,并期待更多产学研同仁们的关注与支持。中国半导体加油,原磊加油!!!
徐州半导体薄膜沉积技术研讨会圆满落幕
【概要描述】
1月14日,原磊纳米材料(徐州)有限公司(以下简称“原磊”)在徐州举办的“徐州半导体薄膜沉积技术研讨会“圆满落下帷幕。本次会议旨在推动半导体真空镀膜设备的国产化进程和加快我国半导体技术的发展。会议以半导体薄膜沉积技术为切入点,深度交流了半导体及纳米光学器件产业内薄膜沉积工艺的最新成果,并探讨了薄膜沉积技术的未来发展方向。徐州经济技术开发区领导及众多半导体薄膜沉积领域的专家和学者与会。
在研讨会开幕式上,原磊创始人兼总经理郑锦先生与业内同仁分享了原磊一路走来的创业历程,表达了对徐州经开区政府人员的感谢,并向半导体领域的业内同仁致敬。
随后,徐州经开区党工委副书记、管委会主任臧晓鹏先生在致辞时表示,徐州经开区正在紧跟国家战略布局,瞄准材料、装备、先进封测和第三代半导体等领域精准发力,致力于打造淮海经济圈的半导体产业高地。臧主任对原磊在经开区顺利落地表示祝贺,并祝愿原磊在今后的征程中开拓进取,勇攀半导体产业高峰。
接下来,求是缘半导体联盟陈荣玲理事长在会上高瞻远瞩地指出了在整体“缺芯”的产业形势下,半导体行业同仁们应如何应对,以及对原磊作为国产高端半导体薄膜沉积设备制造商的殷切期待。
在接下来的研讨会上,产学研界的专家们各自分享了他们在薄膜沉积技术应用上的最新进展。
复旦大学微电子国家重点实验室的丁士进教授讲解了原子层沉积技术在集成电路先进制程中的技术融合与应用。
南智先进光电集成技术研究院的王前进博士讲述了如何以光电集成公共技术平台建设促进光电芯片成果转化、产业集聚的策略和ALD技术在未来该领域的应用。
源展材料科技有限公司副总裁娄夏冰博士深入浅出地讲解了ALD前驱源的发展历程、当前状况和未来趋势。
华中科技大学武汉光电国家实验室的曾进炜教授讲解了原子层沉积技术在纳米光学器件方面的应用和前景。
重庆大学南京研究院副院长牟笑静教授分享了压电薄膜材料研究与产业化发展的进程,以及对与原磊开展深入合作的期待。
南昌大学光伏研究院的姚凯教授讲述了原子层沉积技术在钙钛矿/异质结叠层光伏电池制备过程中的重要作用。
产品发布
同时,研讨会上发布了原磊ANAME Elegant系列设备,是研发型ALD设备市场中唯一能为客户量身定制最大可沉积12寸晶圆的国产设备,突破性地解决了薄膜沉积领域的一些关键问题。该系列采用双腔设计,可从最大程度上保证沉积的稳定性;同时集成了原磊自主研发的传输系统,可实现一键操作,减少人工干预,降低交叉污染。该系列预留了数个升级端口,可同时实现等离子体增强和臭氧工艺,并兼容ALE的开发功能,适用于泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积及刻蚀研究。
值得关注的是,本次会议还发布了原磊首台量产型设备BAT P300 R2R。该设备兼容4/6/8/12寸晶圆,一次可沉积300片4寸晶圆。该设备搭载自动传输和冷却系统,大幅降低了单片人工成本,适用于光电显示以及泛半导体等领域的应用,是目前全球性价比最高的ALD设备。
2022年,原磊还将陆续推出适用于特殊记忆体、特殊工艺、先进封装和先进制程的团簇式ALD设备。同时,原磊还展示了首台纯国产低温选择性外延设备的设计与外观,让业内同仁看到了先进制程设备领域国产替代的希望。
企业参观
1月15日,政府人员和参会企业代表在总经理郑锦的陪同下参观了原磊徐州公司,对原磊的装配、研发和测试中心的设计和硬件条件给予了极高的评价,表达了对原磊未来发展的极大期许和信心。
会议于下午5点顺利闭幕。
至此,本次会议全部结束。感谢本次与会的各界朋友,让我们相聚在下一届研讨会,并期待更多产学研同仁们的关注与支持。中国半导体加油,原磊加油!!!
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1月14日,原磊纳米材料(徐州)有限公司(以下简称“原磊”)在徐州举办的“徐州半导体薄膜沉积技术研讨会“圆满落下帷幕。本次会议旨在推动半导体真空镀膜设备的国产化进程和加快我国半导体技术的发展。会议以半导体薄膜沉积技术为切入点,深度交流了半导体及纳米光学器件产业内薄膜沉积工艺的最新成果,并探讨了薄膜沉积技术的未来发展方向。徐州经济技术开发区领导及众多半导体薄膜沉积领域的专家和学者与会。
在研讨会开幕式上,原磊创始人兼总经理郑锦先生与业内同仁分享了原磊一路走来的创业历程,表达了对徐州经开区政府人员的感谢,并向半导体领域的业内同仁致敬。
随后,徐州经开区党工委副书记、管委会主任臧晓鹏先生在致辞时表示,徐州经开区正在紧跟国家战略布局,瞄准材料、装备、先进封测和第三代半导体等领域精准发力,致力于打造淮海经济圈的半导体产业高地。臧主任对原磊在经开区顺利落地表示祝贺,并祝愿原磊在今后的征程中开拓进取,勇攀半导体产业高峰。
接下来,求是缘半导体联盟陈荣玲理事长在会上高瞻远瞩地指出了在整体“缺芯”的产业形势下,半导体行业同仁们应如何应对,以及对原磊作为国产高端半导体薄膜沉积设备制造商的殷切期待。
在接下来的研讨会上,产学研界的专家们各自分享了他们在薄膜沉积技术应用上的最新进展。
复旦大学微电子国家重点实验室的丁士进教授讲解了原子层沉积技术在集成电路先进制程中的技术融合与应用。
南智先进光电集成技术研究院的王前进博士讲述了如何以光电集成公共技术平台建设促进光电芯片成果转化、产业集聚的策略和ALD技术在未来该领域的应用。
源展材料科技有限公司副总裁娄夏冰博士深入浅出地讲解了ALD前驱源的发展历程、当前状况和未来趋势。
华中科技大学武汉光电国家实验室的曾进炜教授讲解了原子层沉积技术在纳米光学器件方面的应用和前景。
重庆大学南京研究院副院长牟笑静教授分享了压电薄膜材料研究与产业化发展的进程,以及对与原磊开展深入合作的期待。
南昌大学光伏研究院的姚凯教授讲述了原子层沉积技术在钙钛矿/异质结叠层光伏电池制备过程中的重要作用。
产品发布
同时,研讨会上发布了原磊ANAME Elegant系列设备,是研发型ALD设备市场中唯一能为客户量身定制最大可沉积12寸晶圆的国产设备,突破性地解决了薄膜沉积领域的一些关键问题。该系列采用双腔设计,可从最大程度上保证沉积的稳定性;同时集成了原磊自主研发的传输系统,可实现一键操作,减少人工干预,降低交叉污染。该系列预留了数个升级端口,可同时实现等离子体增强和臭氧工艺,并兼容ALE的开发功能,适用于泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积及刻蚀研究。
值得关注的是,本次会议还发布了原磊首台量产型设备BAT 300 R2R。该设备兼容4/6/8/12寸晶圆,一次可沉积300片4寸晶圆。该设备搭载自动传输和冷却系统,大幅降低了单片人工成本,适用于光电显示以及泛半导体等领域的应用,是目前全球性价比最高的ALD设备。
2022年,原磊还将陆续推出适用于特殊记忆体、特殊工艺、先进封装和先进制程的团簇式ALD设备。同时,原磊还展示了首台纯国产低温选择性外延设备的设计与外观,让业内同仁看到了先进制程设备领域国产替代的希望。
企业参观
1月15日,政府人员和参会企业代表在总经理郑锦的陪同下参观了原磊徐州公司,对原磊的装配、研发和测试中心的设计和硬件条件给予了极高的评价,表达了对原磊未来发展的极大期许和信心。
会议于下午5点顺利闭幕。
至此,本次会议全部结束。感谢本次与会的各界朋友,让我们相聚在下一届研讨会,并期待更多产学研同仁们的关注与支持。中国半导体加油,原磊加油!!!
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