行业新闻_新闻中心_南京原磊纳米材料有限公司

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原磊科普丨半导体制造中的外延（Epi）工艺

在完美的晶体基础层上构建集成电路或半导体器件是理想的选择。半导体制造中的外延(epi)工艺旨在在单晶衬底上沉积一层精细的单晶层，通常约为0.5至20微米。外延工艺是半导体器件制造中的一个重要步骤，尤其是在硅片制造中。

03-08 

SEMICON China 2024 Pre-Event Exposure

南京原磊纳米材料有限公司(简称“原磊纳米”)，将携高端半导体镀膜设备及工艺和材料集成解决方案参加这一国内顶级半导体的盛会，向行业伙伴展示公司最新的技术和产品。诚邀各位莅临展位，真诚地期待与业内同仁精诚合作、互利共赢!

08-08 

原磊科普|ALD在钙钛矿电池中的应用

原磊纳米技术团队多年的工艺开发经验，公司从创业之初，就深入于钙钛矿领域相关材料的研究，目前客户端的ALD镀膜工艺取得了非常好的阶段性成果进展。

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在集成电路领域中，深宽比被定义为刻蚀深度与刻蚀图形CD（Criticlal Dimension）的比值。CD是IC制造中的一个重要指标，通常与刻蚀的特征图形的尺寸相关联，包括有浅槽隔离的间隙、晶体管的沟道长度、金属互联线的宽度等。随着高密度集成电路特征尺寸的不断减小，对于高深宽比的间隙进行均匀、无空洞，填充淀积工艺显得至关重要。以3D NAND为例，其复杂结构需要高的深宽比镀膜工艺，例如叠层沉积、高深宽比通道/通孔沉积和台阶沉积等等。这类非平面结构对沉积工艺的要求很高，常见的物理气相沉积（PVD）/化学气相沉积（CVD）的成核生长机制已经难以满足。 ALD与其他制膜技术对比（图片来源网络）不同于传统的沉积方式，原子层沉积（ALD）的反应机制是逐层饱和反应，这种表面反应具有自限性，通过累积重复这种自限性可以制备所需精确厚度的膜层，并且具有良好的台阶覆盖率及厚度均匀性，连续生长可以获得致密性高的纳米薄膜。使用TiCl4和H2O制备的TiO2（图片来源网络）基于表面饱和化学性吸附及自我限制的反应机制，原子层沉积（ALD）拥有下列优点：通过对生长循环数的控制，可以精确控制目标膜厚通过对前驱体流量的稳定性/均匀性控制，可获得较高致密性的薄膜对于具有高深宽比结构的器件/材料，ALD具备良好的侧壁覆盖能力和阶梯覆盖能力，沉积保形性较好结合原磊技术团队成员多年的经验积累，并经过不断的优化和实践，原磊将ALD在深宽比器件制造的理论优势，用自己的技术和产品充分展现出来。原磊第二代研发型ALD设备Elegant-Y/A系类产品，在不改变腔体的前提下满足O3/Plasma/Thermal三种工艺的任意切换。针对高深宽比结构的材料/器件，设计了独有的FV-ALD工艺，给反应前驱体提供一个更加稳定的腔内气流环境，针对高深宽比的结构，有效扩大了阶梯覆盖能力以及样品表面膜层的均匀性，可以实现深宽比1000：1的沟道内Al2O3、HfO2和TiN的均匀致密沉积。 ELEGANT II-Y300 图1展示了Elegant-Y300系列ALD产品在Floating型沟道结构内沉积25nm HfO2薄膜的SEM图片。图2中展示了放大倍数的HfO2薄膜，可清晰地看到其致密均匀的沉积效果。. Figure 1：高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜的SEM结果 Figure 2：高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜厚度测试结果经过前期大量的工艺验证和研发，我司也摸索出一系列ALD制备氧化物、氮化物和金属的成熟工艺，包括：氧化物 Al2O3、TiO2、SiO2、HfO2、Ta2O5、ZrO2、ZnO、SnO2、La2O3 金属 Fe、Ag、Co、Ni、Cu、Ru、Pt 氮化物\ 多元材料 TiN、TiC、GaN、AlN、HfON、LaAlO3、MnN、TaN、WN、Si3N4等我司目前主要产品是研发和量产型原子层沉积（ALD）设备，其中GRACE MX系列和ELEGANT II-A系列机型均可成熟量产。 GRACE MX系列原磊自主研发的第一代多层平板式原子层薄膜沉积（ALD）系统。支持全方位的工艺开发，且最大可容纳样品尺寸及层数可根据客户需求量身定制。 ELEGANT II-A系列成熟量产型机台，可使用标准或自定义的 Cassette一次性装载25片6/8寸英寸晶圆。在化合物半导体领域，我司利用ALD技术开发出独特的处理工艺-即ISSET技术，能够大幅提升功率器件的电学性能。

08-26 

台积电预估9月量产3纳米，晶圆代工厂要如何应对挑战？

三星电子7月底抢先全球厂商宣布量产3纳米芯片，台积电虽然慢了一步，但仍符合原先预期，预估在9月开始量产3纳米，此事让晶圆代工双雄的竞争更加白热化。

09-03 

中国半导体三路出击

根据国信证券的调研报告显示，在2020 年前8个月中国有近万家(9335 家)企业转投芯片行业，同比增长1.2倍。A股半导体上市公司目前62家，新转型做半导体的企业数量是存量的150倍。

原磊科普丨半导体制造中的外延（Epi）工艺

SEMICON China 2024 Pre-Event Exposure

原磊科普|ALD在钙钛矿电池中的应用

原磊科普|ALD在高深宽比器件制造上不可替代的应用

台积电预估9月量产3纳米，晶圆代工厂要如何应对挑战？

中国半导体三路出击