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南京原磊节后恢复正常生产经营

南京原磊节后恢复正常生产经营

  • 分类:公司新闻
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  • 来源:
  • 发布时间:2020-03-16
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【概要描述】面对突如其来形式复杂严峻的新冠疫情,南京原磊公司迅速反应,积极应对,在第一时间为“抗疫情、保生产”开展各项准备工作。公司在2020年1月21日即开始向公司员工发放口罩等各种防疫物资...

南京原磊节后恢复正常生产经营

【概要描述】面对突如其来形式复杂严峻的新冠疫情,南京原磊公司迅速反应,积极应对,在第一时间为“抗疫情、保生产”开展各项准备工作。公司在2020年1月21日即开始向公司员工发放口罩等各种防疫物资...

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  面对突如其来形式复杂严峻的新冠疫情,南京原磊公司迅速反应,积极应对,在第一时间为“抗疫情、保生产”开展各项准备工作。公司在2020年1月21日即开始向公司员工发放口罩等各种防疫物资,并组织员工学习日常防疫知识,提醒员工做好春运和春节期间的自我防护。随着疫情的发展,公司于2020年1月26日成立了防疫专项工作小组(总经理任组长、行政经理、行政助理任组员),本着对公司及员工安全着想的目的,第一时间了解员工假期动态,对所有员工春节期间所有动向和健康状况进行详细地摸底排查,为节后及时有序恢复生产经营做好准备。

  2020年2月3日,防疫专项工作小组开始和公司所在的浦口经济开发区管委会进行对接,充分详实地汇报了公司员工假期情况以及节后公司复工安排,并做好了人才公寓安置和外地返宁员工的隔离计划。2020年2月8日开始,根据南京市对辖区内企业复工复业的相关要求,公司按照《南京市新型冠状病毒感染的肺炎疫情防控指挥部企业专项组工作方案》的要求,落实疫情防控和健康管理主体责任,在达到要求的各项复工复业标准条件后,向所在浦口开发区疫情防控指挥部企业专项组提交了复工申请。此外,公司防疫专项小组还多次向开发区管委会主任及浦口区各级政府部门汇报了具体情况,并切实反映了公司交付海外订单的时间紧迫性和有关困难。 2月10日,公司通过了园区对公司防疫措施的检查。2月11日公司收到了浦口区工信局及区防疫指挥中心同意复工的批复,并于2月13日正式复工。作为南京市浦口区的首批复工企业,公司正式复工后,公司高度重视,切实做好防疫复工两不误。公司防疫专项工作小组新增了两名组员(机械经理和工艺工程师),对每位员工进行健康每日打卡和测温,认真做好个人和公共区域消毒,疫情敏感地区返宁员工的居家隔离和按时健康报告,中药预防等防疫工作。截至目前为止,公司所开展的防疫工作收效良好,除1人留在湖北黄冈自行隔离外(该员工当前健康状况良好),其余14名员工均已返岗,公司到岗员工健康状况良好,各项政府检查均达标合格,公司获得各级防疫监察部门的表扬。

  面对本次严重的新冠疫情,原磊人从上到下齐心协力、沉稳应对。面对危机和困难时,公司股东给予了高度关注,多次电联防疫专项工作小组,在具体工作开展等方面给出了许多行之有效的建议和指导,极大提升了公司管理层的工作成效和对此次成功复工的信心;公司员工整体表现积极,任劳任怨,有些员工在除了做好本职工作外,还配合公司领导做了大量其它的工作,为公司的正常运营和公司员工的健康安全贡献一己之力。沧海横流,方显英雄本色。危机和灾难是检验企业团队综合实力的试金石,由初创团队走过来的原磊人将继续团结一心,在以严守疫情防护的“安全线”为前提下争分夺秒,按计划完成公司的各项任务 在2020年这个公司发展的关键年份中拼搏实干,不负韶华,砥砺前行。

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在集成电路领域中,深宽比被定义为刻蚀深度与刻蚀图形CD(Criticlal Dimension)的比值。CD是IC制造中的一个重要指标,通常与刻蚀的特征图形的尺寸相关联,包括有浅槽隔离的间隙、晶体管的沟道长度、金属互联线的宽度等。随着高密度集成电路特征尺寸的不断减小,对于高深宽比的间隙进行均匀、无空洞,填充淀积工艺显得至关重要。    以3D NAND为例, 其复杂结构需要高的深宽比镀膜工艺,例如叠层沉积、高深宽比通道/通孔沉积和台阶沉积等等。这类非平面结构对沉积工艺的要求很高,常见的物理气相沉积(PVD)/化学气相沉积(CVD)的成核生长机制已经难以满足。 ALD与其他制膜技术对比(图片来源网络)   不同于传统的沉积方式,原子层沉积(ALD)的反应机制是逐层饱和反应,这种表面反应具有自限性,通过累积重复这种自限性可以制备所需精确厚度的膜层,并且具有良好的台阶覆盖率及厚度均匀性,连续生长可以获得致密性高的纳米薄膜。     使用TiCl4和H2O制备的TiO2(图片来源网络)   基于表面饱和化学性吸附及自我限制的反应机制,原子层沉积(ALD)拥有下列优点:   通过对生长循环数的控制,可以精确控制目标膜厚     通过对前驱体流量的稳定性/均匀性控制,可获得较高致密性的薄膜     对于具有高深宽比结构的器件/材料,ALD具备良好的侧壁覆盖能力和阶梯覆盖能力,沉积保形性较好     结合原磊技术团队成员多年的经验积累,并经过不断的优化和实践,原磊将ALD在深宽比器件制造的理论优势,用自己的技术和产品充分展现出来。原磊第二代研发型ALD设备Elegant-Y/A系类产品,在不改变腔体的前提下满足O3/Plasma/Thermal三种工艺的任意切换。针对高深宽比结构的材料/器件,设计了独有的FV-ALD工艺,给反应前驱体提供一个更加稳定的腔内气流环境,针对高深宽比的结构,有效扩大了阶梯覆盖能力以及样品表面膜层的均匀性,可以实现深宽比1000:1的沟道内Al2O3、HfO2和TiN的均匀致密沉积。 ELEGANT II-Y300   图1展示了Elegant-Y300系列ALD产品在Floating型沟道结构内沉积25nm HfO2薄膜的SEM图片。图2中展示了放大倍数的HfO2薄膜,可清晰地看到其致密均匀的沉积效果。.   Figure 1:高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜的SEM结果   Figure 2:高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜厚度测试结果   经过前期大量的工艺验证和研发,我司也摸索出一系列ALD制备氧化物、氮化物和金属的成熟工艺,包括:   氧化物 Al2O3、TiO2、SiO2、HfO2、Ta2O5、ZrO2、ZnO、SnO2、La2O3 金属 Fe、Ag、Co、Ni、Cu、Ru、Pt 氮化物\ 多元材料 TiN、TiC、GaN、AlN、HfON、LaAlO3、MnN、TaN、WN、Si3N4等   我司目前主要产品是研发和量产型原子层沉积(ALD)设备,其中GRACE MX系列和ELEGANT II-A系列机型均可成熟量产。   GRACE MX系列 原磊自主研发的第一代多层平板式原子层薄膜沉积(ALD)系统。支持全方位的工艺开发,且最大可容纳样品尺寸及层数可根据客户需求量身定制。 ELEGANT II-A系列 成熟量产型机台,可使用标准或自定义的 Cassette一次性装载25片6/8寸英寸晶圆。在化合物半导体领域,我司利用ALD技术开发出独特的处理工艺-即ISSET技术,能够大幅提升功率器件的电学性能。  
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