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原磊举办“企业知识产权风险与管理知识”培训

原磊举办“企业知识产权风险与管理知识”培训

  • 分类:公司新闻
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  • 来源:
  • 发布时间:2020-04-30
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【概要描述】4月30日,南京原磊借世界知识产权日之契机,积极响应政府号召,对企业员工举办了主题为“企业知识产权风险与管理”培训。主要对知识产权对企业的价值、知识产权的风险及保护应对方式...

原磊举办“企业知识产权风险与管理知识”培训

【概要描述】4月30日,南京原磊借世界知识产权日之契机,积极响应政府号召,对企业员工举办了主题为“企业知识产权风险与管理”培训。主要对知识产权对企业的价值、知识产权的风险及保护应对方式...

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  4月30日,南京原磊借世界知识产权日之契机,积极响应政府号召,对企业员工举办了主题为“企业知识产权风险与管理”培训。主要对知识产权对企业的价值、知识产权的风险及保护应对方式、各职能部门工作涉及知识产权的管理工作三大方面为大家做了详细介绍,培训过程中总经理也向我们大家分别列举了一些企业知识产权保护的成功以及失败的案例。

  对小微创业企业来说,知识产权的保护意识可能没有那么强烈,经过此次培训,员工纷纷表示收益良多,大家都对企业知识产权的重要性以及侵犯知识产权或泄露企业机密的后果严重性有了明确的认知。后期原磊也将在知识产权管理与保护方面加强重视,鼓励创新,健全知识产权管理制度,争取成为南京市中小企业知识产权示范单位。

  

原磊举办“企业知识产权风险与管理知识”培训

 

  

原磊举办“企业知识产权风险与管理知识”培训

 

  今年4·26世界知识产权日的主题为“为绿色未来而创新”,将创新以及支持创新的知识产权作为打造绿色未来的核心工作之一。当前,人类面临全球气候危机的严峻挑战,开创一条通往绿色未来的道路才能够帮助我们有效应对挑战。各地政府积极推动绿色创新,加大政策扶持力度,构建完善的知识产权保护体系,倡议创新主体不断增强知识产权保护意识,对创新成果进行有效保护。

  当前疫情下,国家知识产权局采取了有力举措,一是密集出台了扶持措施,助力企业积极应对疫情。二是促进知识产权转化运用,响应企业融资需求,设立专利、商标质押登记绿色通道。三是营造更好的营商环境和创新环境,加强服务业监管,严厉打击疫情期间非正常申请的违法行为。通过采取以上有力举措帮助企业度过难关。

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原磊科普|ALD在高深宽比器件制造上不可替代的应用
在集成电路领域中,深宽比被定义为刻蚀深度与刻蚀图形CD(Criticlal Dimension)的比值。CD是IC制造中的一个重要指标,通常与刻蚀的特征图形的尺寸相关联,包括有浅槽隔离的间隙、晶体管的沟道长度、金属互联线的宽度等。随着高密度集成电路特征尺寸的不断减小,对于高深宽比的间隙进行均匀、无空洞,填充淀积工艺显得至关重要。    以3D NAND为例, 其复杂结构需要高的深宽比镀膜工艺,例如叠层沉积、高深宽比通道/通孔沉积和台阶沉积等等。这类非平面结构对沉积工艺的要求很高,常见的物理气相沉积(PVD)/化学气相沉积(CVD)的成核生长机制已经难以满足。 ALD与其他制膜技术对比(图片来源网络)   不同于传统的沉积方式,原子层沉积(ALD)的反应机制是逐层饱和反应,这种表面反应具有自限性,通过累积重复这种自限性可以制备所需精确厚度的膜层,并且具有良好的台阶覆盖率及厚度均匀性,连续生长可以获得致密性高的纳米薄膜。     使用TiCl4和H2O制备的TiO2(图片来源网络)   基于表面饱和化学性吸附及自我限制的反应机制,原子层沉积(ALD)拥有下列优点:   通过对生长循环数的控制,可以精确控制目标膜厚     通过对前驱体流量的稳定性/均匀性控制,可获得较高致密性的薄膜     对于具有高深宽比结构的器件/材料,ALD具备良好的侧壁覆盖能力和阶梯覆盖能力,沉积保形性较好     结合原磊技术团队成员多年的经验积累,并经过不断的优化和实践,原磊将ALD在深宽比器件制造的理论优势,用自己的技术和产品充分展现出来。原磊第二代研发型ALD设备Elegant-Y/A系类产品,在不改变腔体的前提下满足O3/Plasma/Thermal三种工艺的任意切换。针对高深宽比结构的材料/器件,设计了独有的FV-ALD工艺,给反应前驱体提供一个更加稳定的腔内气流环境,针对高深宽比的结构,有效扩大了阶梯覆盖能力以及样品表面膜层的均匀性,可以实现深宽比1000:1的沟道内Al2O3、HfO2和TiN的均匀致密沉积。 ELEGANT II-Y300   图1展示了Elegant-Y300系列ALD产品在Floating型沟道结构内沉积25nm HfO2薄膜的SEM图片。图2中展示了放大倍数的HfO2薄膜,可清晰地看到其致密均匀的沉积效果。.   Figure 1:高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜的SEM结果   Figure 2:高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜厚度测试结果   经过前期大量的工艺验证和研发,我司也摸索出一系列ALD制备氧化物、氮化物和金属的成熟工艺,包括:   氧化物 Al2O3、TiO2、SiO2、HfO2、Ta2O5、ZrO2、ZnO、SnO2、La2O3 金属 Fe、Ag、Co、Ni、Cu、Ru、Pt 氮化物\ 多元材料 TiN、TiC、GaN、AlN、HfON、LaAlO3、MnN、TaN、WN、Si3N4等   我司目前主要产品是研发和量产型原子层沉积(ALD)设备,其中GRACE MX系列和ELEGANT II-A系列机型均可成熟量产。   GRACE MX系列 原磊自主研发的第一代多层平板式原子层薄膜沉积(ALD)系统。支持全方位的工艺开发,且最大可容纳样品尺寸及层数可根据客户需求量身定制。 ELEGANT II-A系列 成熟量产型机台,可使用标准或自定义的 Cassette一次性装载25片6/8寸英寸晶圆。在化合物半导体领域,我司利用ALD技术开发出独特的处理工艺-即ISSET技术,能够大幅提升功率器件的电学性能。  
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