原磊纳米自主研发的低温选择性外延平台，在制造、能耗和生产效率上取得一些列突破性创新成果，并成为全球第三种加热灯管设计的外延设备。该设备可用于8/12英寸逻辑、存储和外延片等硅基同质、异质外延生长。设备的预真空腔采用双层设计，兼顾进样和冷却；工艺腔体配置公司自主研发的前处理系统，可实现更低衬底伤害下的高质量表面处理；传输系统在对晶圆抓取、摆放、升降和温控等进行创新优化后，可实现锗硅和硅外延工艺产能的大幅提升。该平台总共可配置2个前处理和4个EPI工艺腔体，能完全满足主流晶圆厂产能需求。