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Advanced Cluster T3/T9 PE/TH ALD

Advanced ClusterM3/M9 PE/TH ALD系列是我司的团簇式 ALD 设备。该系列搭载独立控制的真空传输、标准 ALD 反应腔、进/取样腔和冷却腔可实现多功能材料和器件制备;同时通过热法和等离子体增强腔体的相互配合可以实现真空环境下完整器件的前处理、制备和后处理工艺。该系列适用于 28 / 14 nm 制程的 IC 逻辑芯片,3D NAND 及特殊记忆体。
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产品描述

技术指标

●    晶圆尺寸:8/12英寸,可定制

●    工艺类型:PE、Thermal

●    装片能力:1片/腔,最大可定制10腔

●    工艺温度:RT~500°C,可定制

●    前驱源管路:单腔最大6路独立管路,可定制

●    适用工艺: AlO、HfO、AIN、TiIN、SiN、Ru、Co等氧化物、氮化物及金属

●    应用领域:先进逻辑、存储等晶圆制造领域

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