T9平台

原磊纳米自主研发的低温选择性外延平台，在制造、能耗和生产效率上取得一些列突破性创新成果，并成为全球第三种加热灯管设计的外延设备。该设备可用于8/12英寸逻辑、存储和外延片等硅基同质、异质外延生长。设备的预真空腔采用双层设计，兼顾进样和冷却；工艺腔体配置公司自主研发的前处理系统，可实现更低衬底伤害下的高质量表面处理；传输系统在对晶圆抓取、摆放、升降和温控等进行创新优化后，可实现锗硅和硅外延工艺产能的大幅提升。该平台总共可配置2个前处理和4个EPI工艺腔体，能完全满足主流晶圆厂产能需求。

原磊纳米拥有完全自主知识产权的高真空直动式传输门阀，适用于装载锁和真空工艺室隔离，广泛应用于真空镀膜设备、光电产业及其他集群真空系统。 密封装置具有快速启闭、较高的重复运行寿命以及高气密性等优点，在隔绝和连通各真空腔室时起到关键性作用。 优势- 密封性好和启闭快 特殊设计的气动驱动器能快速实现阀板开合和关闭，特制的密封件保证更可靠耐用的密封效果。 优势二 低发尘 更低的particle产生，精密的门板驱动设计使密封过程接近零摩擦，更有效的抑制颗粒的产生。 优势三 高安全性能 采用机械式所止机构在阀板闭合时锁定门板组件，有效避免外界因素导致的阀板误操作。 优势四 维护便利和长寿命 可更换波纹管，可通过顶部拆装门板，使用寿命可达100万次。

原磊纳米团簇式ALD设备，是集成电路先进工艺的关键薄膜沉积设备，基于自主研发的Elegant Cluster平台打造，主要应用于8 /12英寸逻辑、存储器件等生产制造，可满足氧化物、氮化物、金属等多种薄膜沉积需求。该设备实现了PE和Thermal工艺的无缝衔接，大幅提高了工艺稳定性和生产效率。其中，Thermal ALD工艺腔配置了plasma自清洁功能，有助于提高设备的可靠性和延长PM周期，进一步提升了性能和竞争力。该平台的各项工艺性能均达到了国际先进水平，并获得多方客户的肯定。

针对不同的ALD工艺，原磊自主创新设计的ALD前驱体钢瓶，包括冷源钢瓶、热源钢瓶以及双口热源钢瓶三种类型。这些钢瓶采用316L高纯不锈钢材质，容量范围广泛，从常规的100ml到600ml不等。同时，我们还可根据客户需求定制大容量钢瓶，其密封性能卓越，漏率低至1*10E-9 mbar*L/s，可广泛应用于ALD真空镀膜设备中。