T3平台

原磊纳米自主研发的低温选择性外延平台，在制造、能耗和生产效率上取得一些列突破性创新成果，并成为全球第三种加热灯管设计的外延设备。该设备可用于8/12英寸逻辑、存储和外延片等硅基同质、异质外延生长。设备的预真空腔采用双层设计，兼顾进样和冷却；工艺腔体配置公司自主研发的前处理系统，可实现更低衬底伤害下的高质量表面处理；传输系统在对晶圆抓取、摆放、升降和温控等进行创新优化后，可实现锗硅和硅外延工艺产能的大幅提升。该平台总共可配置2个前处理和4个EPI工艺腔体，能完全满足主流晶圆厂产能需求。

原磊纳米拥有完全自主知识产权的高真空直动式传输门阀，适用于装载锁和真空工艺室隔离，广泛应用于真空镀膜设备、光电产业及其他集群真空系统。 密封装置具有快速启闭、较高的重复运行寿命以及高气密性等优点，在隔绝和连通各真空腔室时起到关键性作用。 优势- 密封性好和启闭快 特殊设计的气动驱动器能快速实现阀板开合和关闭，特制的密封件保证更可靠耐用的密封效果。 优势二 低发尘 更低的particle产生，精密的门板驱动设计使密封过程接近零摩擦，更有效的抑制颗粒的产生。 优势三 高安全性能 采用机械式所止机构在阀板闭合时锁定门板组件，有效避免外界因素导致的阀板误操作。 优势四 维护便利和长寿命 可更换波纹管，可通过顶部拆装门板，使用寿命可达100万次。

Advanced ClusterM3/M9 PE/TH ALD系列是我司的团簇式 ALD 设备。该系列搭载独立控制的真空传输、标准 ALD 反应腔、进/取样腔和冷却腔可实现多功能材料和器件制备；同时通过热法和等离子体增强腔体的相互配合可以实现真空环境下完整器件的前处理、制备和后处理工艺。该系列适用于 28 / 14 nm 制程的 IC 逻辑芯片，3D NAND 及特殊记忆体。

针对不同的ALD工艺，原磊自主创新设计的ALD前驱体钢瓶，包括冷源钢瓶、热源钢瓶以及双口热源钢瓶三种类型。这些钢瓶采用316L高纯不锈钢材质，容量范围广泛，从常规的100ml到600ml不等。同时，我们还可根据客户需求定制大容量钢瓶，其密封性能卓越，漏率低至1*10E-9 mbar*L/s，可广泛应用于ALD真空镀膜设备中。