Elegant II-Y系列是原磊纳米的第二代研发型ALD/ALE设备，拥有完全的自主知识产权，符合CE标准，主要针对高校、科研院所和小批量生产客户。该系列采用双腔设计，从最大程度上保证了沉积的稳定性和源利用率；同时集成我司自主研发的传输系统，可实现一键操作，减少人工干预，降低污染的可能性。该系列还预留了数个升级端口，可同时实现等离子体增强和臭氧工艺，特别适合泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积。在化合物半导体领域，我司利用ALD技术开发出独特的处理工艺-即ISSET技术，能够大幅提升功率器件的电学性能。