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ALD/ALE Elegant II-Y

ELEGANT II-Y系列是原磊材料科技的第二代研发型ALD/ALE设备,拥有完全的自主知识产权,符合CE标准。该系列采用双腔设计,从最大程度上保证了沉积的稳定性和源利用率;同时集成我司自主研发的传输系统,可实现一键操作,减少人工干预,降低污染的可能性。该系列还预留了数个升级端口,可同时实现等离子体增强和臭氧工艺,特别适合泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积。ELEGANT II-Y系列是原磊材料科技的第二代研发型ALD/ALE设备,拥有完全的自主知识产权,符合CE标准。该系列采用双腔设计,从最大程度上保证了沉积的稳定性和源利用率;同时集成我司自主研发的传输系统,可实现一键操作,减少人工干预,降低污染的可能性。该系列还预留了数个升级端口,可同时实现等离子体增强和臭氧工艺,特别适合泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积。在化合物半导体领域,我司利用ALD技术开发出独特的处理工艺-即ISSET技术,能够大幅提升功率器件的电学性能。
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产品编号
所属分类
研究型机台
数量
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1
产品描述

技术指标:
样品:最大12英寸,向下兼容,可定制
工艺温度:RT~400℃,更高温度可定制高温模块。
前驱源管路:最大6路独立管路,可定制
低压源加热系统:包含源瓶和管路,RT~200℃
真空系统:高性能机械泵,可定制半导体级分子泵
生长模式:正常生长、停留生长、等离子体增强(可定制)
等离子体源:射频、微波,可定制
等离子体放电气源:最大4路独立管路,可定制
控制系统 :自主研发操作系统 + 触摸屏
电源: 50-60Hz, 380V/20A交流电源
均匀性:Al2O3非均匀性<1%

 

关键词:
ALD/ALE ElegantⅡ
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