新闻中心
NEWS CENTER
当前位置:
首页
/
/
/
原磊荣获“IC Future 2023年度芯势力产品奖”

原磊荣获“IC Future 2023年度芯势力产品奖”

  • 分类:公司新闻
  • 作者:原磊纳米人
  • 来源:
  • 发布时间:2023-08-02
  • 访问量:0

【概要描述】2023年7月21日,在2023世界半导体大会暨南京国际半导体博览会现场,我司凭借原子层沉积(ALD)镀膜设备Elegant II-Y系列产品,荣获“芯势力产品奖”! 

原磊荣获“IC Future 2023年度芯势力产品奖”

【概要描述】2023年7月21日,在2023世界半导体大会暨南京国际半导体博览会现场,我司凭借原子层沉积(ALD)镀膜设备Elegant II-Y系列产品,荣获“芯势力产品奖”! 

  • 分类:公司新闻
  • 作者:原磊纳米人
  • 来源:
  • 发布时间:2023-08-02
  • 访问量:0
详情

2023年7月21日,在2023世界半导体大会暨南京国际半导体博览会现场,我司凭借原子层沉积(ALD)镀膜设备Elegant II-Y系列产品,荣获“芯势力产品奖”! 

图片来自世半会暨南京国际半导体博览会官方公众号

 

感谢主办方对原磊纳米的认可,及对原磊纳米ALD产品的肯定。我们必将乘势而上、锐意进取,打造一个全生态内循环的半导体设备公司,成为纯国产先进半导体设备的高端民族品牌。

 

“芯势力产品奖”旨在对半导体产业具有技术代表性、标志性、里程碑式的创新产品及技术,以及产品创新、技术创新和应用创新的先锋企业进行表彰。

 

 

Elegant II-Y系列是原磊纳米的第二代研发型ALD/ALE设备,拥有完全的自主知识产权,符合CE标准,主要针对高校、科研院所和小批量生产客户。

※ 该系列采用双腔设计,从最大程度上保证了沉积的稳定性和源利用率

※ 同时集成我司自主研发的传输系统,可实现一键操作,减少人工干预,降低污染的可能性。

※ 该系列还预留了数个升级端口,可同时实现等离子体增强和臭氧工艺。

※ 适合泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积。

※ 在化合物半导体领域,我司利用ALD技术开发出独特的处理工艺-即ISSET技术,能够大幅提升功率器件的电学性能。

 

 

扫二维码用手机看

相关新闻

原磊科普丨半导体制造中的外延(Epi)工艺
在完美的晶体基础层上构建集成电路或半导体器件是理想的选择。半导体制造中的外延(epi)工艺旨在在单晶衬底上沉积一层精细的单晶层,通常约为0.5至20微米。外延工艺是半导体器件制造中的一个重要步骤,尤其是在硅片制造中。
查看详情 白箭头 黑箭头
SEMICON China 2024 Pre-Event Exposure
南京原磊纳米材料有限公司(简称“原磊纳米”),将携高端半导体镀膜设备及工艺和材料集成解决方案参加这一国内顶级半导体的盛会,向行业伙伴展示公司最新的技术和产品。诚邀各位莅临展位,真诚地期待与业内同仁精诚合作、互利共赢!
查看详情 白箭头 黑箭头
原磊纳米荣获2024年度江苏省“专精特新”中小企业殊荣
专精特新中小企业是指具备专业化、精细化、特色化、新颖化特征的中小企业,这些企业通常具有高度的创新能力和市场竞争力,是推动经济发展的重要力量。
查看详情 白箭头 黑箭头
搜索
搜索