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08-08

原磊科普|ALD在钙钛矿电池中的应用

原磊纳米技术团队多年的工艺开发经验,公司从创业之初,就深入于钙钛矿领域相关材料的研究,目前客户端的ALD镀膜工艺取得了非常好的阶段性成果进展。
08-02

原磊荣获“IC Future 2023年度芯势力产品奖”

2023年7月21日,在2023世界半导体大会暨南京国际半导体博览会现场,我司凭借原子层沉积(ALD)镀膜设备Elegant II-Y系列产品,荣获“芯势力产品奖”! 
03-01

原磊科普|ALD在高深宽比器件制造上不可替代的应用

在集成电路领域中,深宽比被定义为刻蚀深度与刻蚀图形CD(Criticlal Dimension)的比值。CD是IC制造中的一个重要指标,通常与刻蚀的特征图形的尺寸相关联,包括有浅槽隔离的间隙、晶体管的沟道长度、金属互联线的宽度等。随着高密度集成电路特征尺寸的不断减小,对于高深宽比的间隙进行均匀、无空洞,填充淀积工艺显得至关重要。    以3D NAND为例, 其复杂结构需要高的深宽比镀膜工艺,例如叠层沉积、高深宽比通道/通孔沉积和台阶沉积等等。这类非平面结构对沉积工艺的要求很高,常见的物理气相沉积(PVD)/化学气相沉积(CVD)的成核生长机制已经难以满足。 ALD与其他制膜技术对比(图片来源网络)   不同于传统的沉积方式,原子层沉积(ALD)的反应机制是逐层饱和反应,这种表面反应具有自限性,通过累积重复这种自限性可以制备所需精确厚度的膜层,并且具有良好的台阶覆盖率及厚度均匀性,连续生长可以获得致密性高的纳米薄膜。     使用TiCl4和H2O制备的TiO2(图片来源网络)   基于表面饱和化学性吸附及自我限制的反应机制,原子层沉积(ALD)拥有下列优点:   通过对生长循环数的控制,可以精确控制目标膜厚     通过对前驱体流量的稳定性/均匀性控制,可获得较高致密性的薄膜     对于具有高深宽比结构的器件/材料,ALD具备良好的侧壁覆盖能力和阶梯覆盖能力,沉积保形性较好     结合原磊技术团队成员多年的经验积累,并经过不断的优化和实践,原磊将ALD在深宽比器件制造的理论优势,用自己的技术和产品充分展现出来。原磊第二代研发型ALD设备Elegant-Y/A系类产品,在不改变腔体的前提下满足O3/Plasma/Thermal三种工艺的任意切换。针对高深宽比结构的材料/器件,设计了独有的FV-ALD工艺,给反应前驱体提供一个更加稳定的腔内气流环境,针对高深宽比的结构,有效扩大了阶梯覆盖能力以及样品表面膜层的均匀性,可以实现深宽比1000:1的沟道内Al2O3、HfO2和TiN的均匀致密沉积。 ELEGANT II-Y300   图1展示了Elegant-Y300系列ALD产品在Floating型沟道结构内沉积25nm HfO2薄膜的SEM图片。图2中展示了放大倍数的HfO2薄膜,可清晰地看到其致密均匀的沉积效果。.   Figure 1:高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜的SEM结果   Figure 2:高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜厚度测试结果   经过前期大量的工艺验证和研发,我司也摸索出一系列ALD制备氧化物、氮化物和金属的成熟工艺,包括:   氧化物 Al2O3、TiO2、SiO2、HfO2、Ta2O5、ZrO2、ZnO、SnO2、La2O3 金属 Fe、Ag、Co、Ni、Cu、Ru、Pt 氮化物\ 多元材料 TiN、TiC、GaN、AlN、HfON、LaAlO3、MnN、TaN、WN、Si3N4等   我司目前主要产品是研发和量产型原子层沉积(ALD)设备,其中GRACE MX系列和ELEGANT II-A系列机型均可成熟量产。   GRACE MX系列 原磊自主研发的第一代多层平板式原子层薄膜沉积(ALD)系统。支持全方位的工艺开发,且最大可容纳样品尺寸及层数可根据客户需求量身定制。 ELEGANT II-A系列 成熟量产型机台,可使用标准或自定义的 Cassette一次性装载25片6/8寸英寸晶圆。在化合物半导体领域,我司利用ALD技术开发出独特的处理工艺-即ISSET技术,能够大幅提升功率器件的电学性能。  
08-26

台积电预估9月量产3纳米,晶圆代工厂要如何应对挑战?

三星电子7月底抢先全球厂商宣布量产3纳米芯片,台积电虽然慢了一步,但仍符合原先预期,预估在9月开始量产3纳米,此事让晶圆代工双雄的竞争更加白热化。
01-18

原磊2021年年会盛典圆满结束

   2022年1月15日,原磊大家庭携政府领导、合作客户、行业专家、投资机构齐聚一堂,在徐州隆重举行了一场红红火火的年会盛宴,让我们再次走进这场盛大的年会,回顾那些精彩的瞬间。内容形式丰富多彩,凝聚着中华传统文化精华。   精彩回顾   尽管当地气温较低,但参会人员热情高涨,大家在主持人的引领下陆续就座。 下午16:30,晚宴的序幕正式拉开。 紧接着,由原磊创始人郑锦先生带来诚挚发言和美好祝愿,激昂又暖心。 在郑总的带领下,现场嘉宾和全体员工举杯共饮,为新年送上美好的祝福。 晚宴上的小伙伴各个都是神采奕奕,谈笑风生,很是开心! 接下来就是今年重磅抽奖环节。现场尖叫声跌宕起伏,今年更是还有幸运奖,特别嘉宾奖等,保证每个原磊小伙伴都能满载而归! 整场晚宴最佳得奖幸运儿还属我们机械部的陶佳月!郑总亲自颁发了一等奖并合影留念! 最high的部分来了~我们徐州的小伙伴大展歌喉,一首接一首,属实让大家惊艳了一把! 当然了,虎年到,虎虎生威,可不能忘了我们的虎年小伙伴们~这不,立马为我们本命年的小伙伴献上丰厚礼品。 还有一批人,他们是原磊的中坚力量。一直陪伴原磊,原磊的每一次成长都离不开他们的辛勤付出;他们用专业的角度、独到的管理,让原磊更具生命力。 企业有团结奋进的中坚力量,有踏实勤奋的员工榜样,有温度有态度的老板!相信原磊的明天会更美好!
10-09

寒暑三载,砥砺前行

2021年9月29日,我们在南京总部举办了公司成立三周年庆典。一路风雨,一路收获。时光如梭,转眼间南京原磊纳米材料有限公司已走过了三个春秋。光阴三载,在历史的长河中也许只是短短一瞬,但公司成长的每一步都值得我们用心去铭记,因为这里饱含着创业的艰辛,凝聚着成功的喜悦,更寄托着原磊纳米人对美好未来的期盼与追求!
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