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03-01 

原磊科普|ALD在高深宽比器件制造上不可替代的应用

在集成电路领域中，深宽比被定义为刻蚀深度与刻蚀图形CD（Criticlal Dimension）的比值。CD是IC制造中的一个重要指标，通常与刻蚀的特征图形的尺寸相关联，包括有浅槽隔离的间隙、晶体管的沟道长度、金属互联线的宽度等。随着高密度集成电路特征尺寸的不断减小，对于高深宽比的间隙进行均匀、无空洞，填充淀积工艺显得至关重要。以3D NAND为例，其复杂结构需要高的深宽比镀膜工艺，例如叠层沉积、高深宽比通道/通孔沉积和台阶沉积等等。这类非平面结构对沉积工艺的要求很高，常见的物理气相沉积（PVD）/化学气相沉积（CVD）的成核生长机制已经难以满足。 ALD与其他制膜技术对比（图片来源网络）不同于传统的沉积方式，原子层沉积（ALD）的反应机制是逐层饱和反应，这种表面反应具有自限性，通过累积重复这种自限性可以制备所需精确厚度的膜层，并且具有良好的台阶覆盖率及厚度均匀性，连续生长可以获得致密性高的纳米薄膜。使用TiCl4和H2O制备的TiO2（图片来源网络）基于表面饱和化学性吸附及自我限制的反应机制，原子层沉积（ALD）拥有下列优点：通过对生长循环数的控制，可以精确控制目标膜厚通过对前驱体流量的稳定性/均匀性控制，可获得较高致密性的薄膜对于具有高深宽比结构的器件/材料，ALD具备良好的侧壁覆盖能力和阶梯覆盖能力，沉积保形性较好结合原磊技术团队成员多年的经验积累，并经过不断的优化和实践，原磊将ALD在深宽比器件制造的理论优势，用自己的技术和产品充分展现出来。原磊第二代研发型ALD设备Elegant-Y/A系类产品，在不改变腔体的前提下满足O3/Plasma/Thermal三种工艺的任意切换。针对高深宽比结构的材料/器件，设计了独有的FV-ALD工艺，给反应前驱体提供一个更加稳定的腔内气流环境，针对高深宽比的结构，有效扩大了阶梯覆盖能力以及样品表面膜层的均匀性，可以实现深宽比1000：1的沟道内Al2O3、HfO2和TiN的均匀致密沉积。 ELEGANT II-Y300 图1展示了Elegant-Y300系列ALD产品在Floating型沟道结构内沉积25nm HfO2薄膜的SEM图片。图2中展示了放大倍数的HfO2薄膜，可清晰地看到其致密均匀的沉积效果。. Figure 1：高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜的SEM结果 Figure 2：高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜厚度测试结果经过前期大量的工艺验证和研发，我司也摸索出一系列ALD制备氧化物、氮化物和金属的成熟工艺，包括：氧化物 Al2O3、TiO2、SiO2、HfO2、Ta2O5、ZrO2、ZnO、SnO2、La2O3 金属 Fe、Ag、Co、Ni、Cu、Ru、Pt 氮化物\ 多元材料 TiN、TiC、GaN、AlN、HfON、LaAlO3、MnN、TaN、WN、Si3N4等我司目前主要产品是研发和量产型原子层沉积（ALD）设备，其中GRACE MX系列和ELEGANT II-A系列机型均可成熟量产。 GRACE MX系列原磊自主研发的第一代多层平板式原子层薄膜沉积（ALD）系统。支持全方位的工艺开发，且最大可容纳样品尺寸及层数可根据客户需求量身定制。 ELEGANT II-A系列成熟量产型机台，可使用标准或自定义的 Cassette一次性装载25片6/8寸英寸晶圆。在化合物半导体领域，我司利用ALD技术开发出独特的处理工艺-即ISSET技术，能够大幅提升功率器件的电学性能。

11-07 

SEMICON China高峰论坛|探讨半导体设备供应链如何“突围”

2022年11月2日，原磊受邀出席SEMICON产业创新投资论坛。

08-26 

台积电预估9月量产3纳米，晶圆代工厂要如何应对挑战？

三星电子7月底抢先全球厂商宣布量产3纳米芯片，台积电虽然慢了一步，但仍符合原先预期，预估在9月开始量产3纳米，此事让晶圆代工双雄的竞争更加白热化。

08-15 

高校学术专家齐聚原磊纳米助力高端半导体设备国产化

2022年8月5日，第五届全国大学生嵌入式芯片与系统设计竞赛带队老师们参观了我司南京原磊纳米材料有限公司的光电科技园实验室。我司与大连理工大学、西安电子科技大学、东南大学、哈尔滨工业大学等名校各学科寻求未来合作可能，促进企业与高校产生科研合作，助力推进集成电路企业国产化。

01-18 

原磊2021年年会盛典圆满结束

2022年1月15日，原磊大家庭携政府领导、合作客户、行业专家、投资机构齐聚一堂，在徐州隆重举行了一场红红火火的年会盛宴，让我们再次走进这场盛大的年会，回顾那些精彩的瞬间。内容形式丰富多彩，凝聚着中华传统文化精华。精彩回顾尽管当地气温较低，但参会人员热情高涨，大家在主持人的引领下陆续就座。下午16：30，晚宴的序幕正式拉开。紧接着，由原磊创始人郑锦先生带来诚挚发言和美好祝愿，激昂又暖心。在郑总的带领下，现场嘉宾和全体员工举杯共饮，为新年送上美好的祝福。晚宴上的小伙伴各个都是神采奕奕，谈笑风生，很是开心！接下来就是今年重磅抽奖环节。现场尖叫声跌宕起伏，今年更是还有幸运奖，特别嘉宾奖等，保证每个原磊小伙伴都能满载而归! 整场晚宴最佳得奖幸运儿还属我们机械部的陶佳月！郑总亲自颁发了一等奖并合影留念！最high的部分来了~我们徐州的小伙伴大展歌喉，一首接一首，属实让大家惊艳了一把！当然了，虎年到，虎虎生威，可不能忘了我们的虎年小伙伴们~这不，立马为我们本命年的小伙伴献上丰厚礼品。还有一批人，他们是原磊的中坚力量。一直陪伴原磊，原磊的每一次成长都离不开他们的辛勤付出；他们用专业的角度、独到的管理，让原磊更具生命力。企业有团结奋进的中坚力量，有踏实勤奋的员工榜样，有温度有态度的老板！相信原磊的明天会更美好！

01-17 

徐州半导体薄膜沉积技术研讨会圆满落幕

1月14日，原磊纳米材料（徐州）有限公司（以下简称“原磊”）在徐州举办的“徐州半导体薄膜沉积技术研讨会“圆满落下帷幕。本次会议旨在推动半导体真空镀膜设备的国产化进程和加快我国半导体技术的发展。会议以半导体薄膜沉积技术为切入点，深度交流了半导体及纳米光学器件产业内薄膜沉积工艺的最新成果，并探讨了薄膜沉积技术的未来发展方向。徐州经济技术开发区领导及众多半导体薄膜沉积领域的专家和学者与会。在研讨会开幕式上，原磊创始人兼总经理郑锦先生与业内同仁分享了原磊一路走来的创业历程，表达了对徐州经开区政府人员的感谢，并向半导体领域的业内同仁致敬。随后，徐州经开区党工委副书记、管委会主任臧晓鹏先生在致辞时表示，徐州经开区正在紧跟国家战略布局，瞄准材料、装备、先进封测和第三代半导体等领域精准发力，致力于打造淮海经济圈的半导体产业高地。臧主任对原磊在经开区顺利落地表示祝贺，并祝愿原磊在今后的征程中开拓进取，勇攀半导体产业高峰。接下来，求是缘半导体联盟陈荣玲理事长在会上高瞻远瞩地指出了在整体“缺芯”的产业形势下，半导体行业同仁们应如何应对，以及对原磊作为国产高端半导体薄膜沉积设备制造商的殷切期待。在接下来的研讨会上，产学研界的专家们各自分享了他们在薄膜沉积技术应用上的最新进展。复旦大学微电子国家重点实验室的丁士进教授讲解了原子层沉积技术在集成电路先进制程中的技术融合与应用。南智先进光电集成技术研究院的王前进博士讲述了如何以光电集成公共技术平台建设促进光电芯片成果转化、产业集聚的策略和ALD技术在未来该领域的应用。源展材料科技有限公司副总裁娄夏冰博士深入浅出地讲解了ALD前驱源的发展历程、当前状况和未来趋势。华中科技大学武汉光电国家实验室的曾进炜教授讲解了原子层沉积技术在纳米光学器件方面的应用和前景。重庆大学南京研究院副院长牟笑静教授分享了压电薄膜材料研究与产业化发展的进程，以及对与原磊开展深入合作的期待。南昌大学光伏研究院的姚凯教授讲述了原子层沉积技术在钙钛矿/异质结叠层光伏电池制备过程中的重要作用。产品发布同时，研讨会上发布了原磊ANAME Elegant系列设备，是研发型ALD设备市场中唯一能为客户量身定制最大可沉积12寸晶圆的国产设备，突破性地解决了薄膜沉积领域的一些关键问题。该系列采用双腔设计，可从最大程度上保证沉积的稳定性；同时集成了原磊自主研发的传输系统，可实现一键操作，减少人工干预，降低交叉污染。该系列预留了数个升级端口，可同时实现等离子体增强和臭氧工艺，并兼容ALE的开发功能，适用于泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积及刻蚀研究。‍ 值得关注的是，本次会议还发布了原磊首台量产型设备BAT P300 R2R。该设备兼容4/6/8/12寸晶圆，一次可沉积300片4寸晶圆。该设备搭载自动传输和冷却系统，大幅降低了单片人工成本，适用于光电显示以及泛半导体等领域的应用，是目前全球性价比最高的ALD设备。 2022年，原磊还将陆续推出适用于特殊记忆体、特殊工艺、先进封装和先进制程的团簇式ALD设备。同时，原磊还展示了首台纯国产低温选择性外延设备的设计与外观，让业内同仁看到了先进制程设备领域国产替代的希望。企业参观 1月15日，政府人员和参会企业代表在总经理郑锦的陪同下参观了原磊徐州公司，对原磊的装配、研发和测试中心的设计和硬件条件给予了极高的评价，表达了对原磊未来发展的极大期许和信心。会议于下午5点顺利闭幕。至此，本次会议全部结束。感谢本次与会的各界朋友，让我们相聚在下一届研讨会，并期待更多产学研同仁们的关注与支持。中国半导体加油，原磊加油！！！