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关于我们
原磊纳米成立于2018年9月，由具有近20年半导体设备、工艺研发经验的专业团队创建，致力于成为高端国产半导体设备供应商。公司目前的主要产品是研发和量产型ALD设备。
2019年12月，由南京原磊纳米材料有限公司自主研发的第一台ALD设备顺利开发完成并通过验收。
公司目前员工一百余人，其中技术人员占75%，研究生以上学历25人，授权专利40余项。徐州子公司于2021年11月成立，拥有行业内最高标准的装配、测试和研发中心。公司致力于成为拥有设备、材料、工艺全链条核心技术的半导体领域领先企业，作为革新者改变国内半导体设备领域格局，以领先的薄膜设备设计理念为基础，强大的半导体工艺和材料能力为驱动，通过自主创新研发设备，让中国不再受制于人，打造一个纯国产半导体设备的高端民族品牌。
原磊纳米材料技始终秉承“专业、创新、诚信、责任”的宗旨，为半导体行业提供最满意的，最全面的ALD/ALE应用解决方案。
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GRACE MX系列
GRACE-MX 是南京原磊纳米材料有限公司自主研发的第一代多层平板式原子层薄膜沉积（ALD）系统。采用独特的模块设计，通过对腔体和前驱源进气系统的优化，实现了超高的工艺稳定性，并支持全方位的工艺开发，包括在微机电系统、光学、化学和工业领域等的应用，且所开发的材料覆盖众多氧化物（例如SiO2/SnO2/HfO2/Al2O3等），可容纳样品尺寸最大300mm*300mm，针对不同领域的研发，最大可容纳样品尺寸及层数可根据客户需求量身定制。
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- P R O D U C T S
产品展示
公司主要业务：原子层沉积（ALD）和原子层刻蚀（ALE)设备的研发、生产和销售；针对不同客户的需求提供一站式的材料工艺解决方案，并提供定制化的材料、器件光电学性能的优化和表征
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原磊科普|ALD在高深宽比器件制造上不可替代的应用
在集成电路领域中，深宽比被定义为刻蚀深度与刻蚀图形CD（Criticlal Dimension）的比值。CD是IC制造中的一个重要指标，通常与刻蚀的特征图形的尺寸相关联，包括有浅槽隔离的间隙、晶体管的沟道长度、金属互联线的宽度等。随着高密度集成电路特征尺寸的不断减小，对于高深宽比的间隙进行均匀、无空洞，填充淀积工艺显得至关重要。
以3D NAND为例， 其复杂结构需要高的深宽比镀膜工艺，例如叠层沉积、高深宽比通道/通孔沉积和台阶沉积等等。这类非平面结构对沉积工艺的要求很高，常见的物理气相沉积（PVD）/化学气相沉积（CVD）的成核生长机制已经难以满足。
ALD与其他制膜技术对比（图片来源网络）
不同于传统的沉积方式，原子层沉积（ALD）的反应机制是逐层饱和反应，这种表面反应具有自限性，通过累积重复这种自限性可以制备所需精确厚度的膜层，并且具有良好的台阶覆盖率及厚度均匀性，连续生长可以获得致密性高的纳米薄膜。
使用TiCl4和H2O制备的TiO2（图片来源网络）
基于表面饱和化学性吸附及自我限制的反应机制，原子层沉积（ALD）拥有下列优点：
通过对生长循环数的控制，可以精确控制目标膜厚
通过对前驱体流量的稳定性/均匀性控制，可获得较高致密性的薄膜
对于具有高深宽比结构的器件/材料，ALD具备良好的侧壁覆盖能力和阶梯覆盖能力，沉积保形性较好
结合原磊技术团队成员多年的经验积累，并经过不断的优化和实践，原磊将ALD在深宽比器件制造的理论优势，用自己的技术和产品充分展现出来。原磊第二代研发型ALD设备Elegant-Y/A系类产品，在不改变腔体的前提下满足O3/Plasma/Thermal三种工艺的任意切换。针对高深宽比结构的材料/器件，设计了独有的FV-ALD工艺，给反应前驱体提供一个更加稳定的腔内气流环境，针对高深宽比的结构，有效扩大了阶梯覆盖能力以及样品表面膜层的均匀性，可以实现深宽比1000：1的沟道内Al2O3、HfO2和TiN的均匀致密沉积。
ELEGANT II-Y300
图1展示了Elegant-Y300系列ALD产品在Floating型沟道结构内沉积25nm HfO2薄膜的SEM图片。图2中展示了放大倍数的HfO2薄膜，可清晰地看到其致密均匀的沉积效果。.
Figure 1：高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜的SEM结果
Figure 2：高深宽比为1000:1沟道结构25nm-HfO2薄膜厚度测试结果
经过前期大量的工艺验证和研发，我司也摸索出一系列ALD制备氧化物、氮化物和金属的成熟工艺，包括：
氧化物
Al2O3、TiO2、SiO2、HfO2、Ta2O5、ZrO2、ZnO、SnO2、La2O3
金属
Fe、Ag、Co、Ni、Cu、Ru、Pt
氮化物\
多元材料
TiN、TiC、GaN、AlN、HfON、LaAlO3、MnN、TaN、WN、Si3N4等
我司目前主要产品是研发和量产型原子层沉积（ALD）设备，其中GRACE MX系列和ELEGANT II-A系列机型均可成熟量产。
GRACE MX系列
原磊自主研发的第一代多层平板式原子层薄膜沉积（ALD）系统。支持全方位的工艺开发，且最大可容纳样品尺寸及层数可根据客户需求量身定制。
ELEGANT II-A系列
成熟量产型机台，可使用标准或自定义的 Cassette一次性装载25片6/8寸英寸晶圆。在化合物半导体领域，我司利用ALD技术开发出独特的处理工艺-即ISSET技术，能够大幅提升功率器件的电学性能。
SEMICON China高峰论坛|探讨半导体设备供应链如何“突围”
2022年11月2日，原磊受邀出席SEMICON产业创新投资论坛。
台积电预估9月量产3纳米，晶圆代工厂要如何应对挑战？
三星电子7月底抢先全球厂商宣布量产3纳米芯片，台积电虽然慢了一步，但仍符合原先预期，预估在9月开始量产3纳米，此事让晶圆代工双雄的竞争更加白热化。
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