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GRACE-MX 是南京原磊纳米材料有限公司自主研发的第一代多层平板式原子层薄膜沉积（ALD）系统。采用独特的模块设计，通过对腔体和前驱源进气系统的优化，实现了超高的工艺稳定性，并支持全方位的工艺开发，包括在微机电系统、光学、化学和工业领域等的应用，且所开发的材料覆盖众多氧化物（例如SiO2/SnO2/HfO2/Al2O3等），可容纳样品尺寸最大300mm*300mm，针对不同领域的研发，最大可容纳样品尺寸及层数可根据客户需求量身定制。

Elegant II-Y系列是原磊纳米的第二代研发型ALD/ALE设备，拥有完全的自主知识产权，符合CE标准，主要针对高校、科研院所和小批量生产客户。该系列采用双腔设计，从最大程度上保证了沉积的稳定性和源利用率；同时集成我司自主研发的传输系统，可实现一键操作，减少人工干预，降低污染的可能性。该系列还预留了数个升级端口，可同时实现等离子体增强和臭氧工艺，特别适合泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积。在化合物半导体领域，我司利用ALD技术开发出独特的处理工艺-即ISSET技术，能够大幅提升功率器件的电学性能。

原磊纳米的成熟量产型机台，在Elegant II-Y 系列的基础上加入了一个完全自主研发的全自动晶圆装载相传输系统，符合SEMI标准，可使用标准或用户自定义的Cassette一次性装载25片8/6英寸晶圆，因此非常适合中试或终试应用。装配精密步进马达和传感器的晶圆装载系统可精确实现晶圆定位和计数并配合机械手臂完成精准的晶圆取放。该系列同样采用了双腔设计和独立源入口，从而保证了源利用率并减少了交叉污染。数个升级端口可以使等离子体加强和热法工艺在同一个真空腔体中实现，工艺结束后能快速冷却，并可加装原位膜厚测量装置（椭偏仪），特别适合化合物半导体器件的量产。在化合物半导体领域，我司利用ALD技术开发出独特的处理工艺－即ISSET技术，能够大幅提升功率器件的电学性能。

Grace-Mx 是南京原磊自主研发的第一代多层平板式原子层薄膜沉积（ALD）系统，符合CE标准。独特的模块设计、腔体和前驱源进气系统的优化，实现了超高的工艺稳定性。支持全方位的工艺开发，包括在集成电路、微机电系统、光学、化学和工业机械等领域中应用。所开发的材料覆盖众多氧化物（例如SiO2/SnO2/HfO2/Al2O3等）。针对不同领域的研发，最大可容纳样品尺寸及层数可根据客户需求量身定制。